NAND、DRAM和HBM市场深度解析：技术革新与投资机遇并存

近年来，随着人工智能、大数据和高性能计算等技术的快速发展，对存储芯片的需求持续增长，NAND、DRAM和HBM等存储器市场也因此呈现出复杂多变的格局。本文将对近期市场动态进行深入解读，并探讨潜在的投资机遇与风险。

NAND闪存市场：高容量需求持续增长

群联电子财报显示，市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。12月16日至20日期间，NAND颗粒现货价格波动区间为-1.27%至5.00%，平均涨幅为0.43%。虽然部分料号价格下跌，但更多料号价格持平或上涨，表明市场需求依然强劲。群联电子11月累计总出货量同比增长30%，NAND Bit累计出货量年增长率达14%，创历史同期新高，进一步佐证了这一趋势。 高容量NAND闪存主要应用于数据中心、智能手机等领域，未来需求有望持续增长。

DRAM市场：技术迭代与价格波动

三星电子积极布局第七代10nm DRAM测试线，计划于2025年初在平泽第四工厂投产，并力争在2025年5月获得内部量产批准。这显示出DRAM技术迭代的快速步伐。然而，近期DRAM现货价格波动较大，12月16日至20日期间，18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.04%至2.12%，平均涨跌幅为-0.33%。价格波动受多种因素影响，包括供需关系、市场预期等。 三星的投资表明DRAM市场长期仍有发展空间，但短期价格波动仍需关注。

HBM市场：高性能计算驱动高速发展

南亚科技与PieceMakers合作开发定制化HBM解决方案，标志着HBM市场进入新的发展阶段。南亚科技将投资6.6亿新台币认购PieceMakers股份，体现了其对HBM市场未来发展前景的信心。此次合作将结合南亚科技在10纳米级DRAM方面的技术优势和PieceMakers在定制DRAM设计方面的专业知识，为人工智能和高性能计算市场提供高价值、高性能、低功耗的定制化HBM解决方案。HBM作为高性能计算的关键部件，随着人工智能和高性能计算的快速发展，其市场需求将持续增长。

存储现货市场：横盘为主，部分细分市场活跃

近期存储现货市场整体呈现横盘态势。渠道资源端受控货行为影响，部分资源价格涨跌不一。行业市场部分特殊需求逐渐释放，厂商积极促成交易。嵌入式市场中，POS等应用市场相对活跃，带动部分低容量eMMC产品备货需求，但客户开价普遍较低，存储厂商降价意愿不强。

投资建议与风险提示

我们持续看好受益于先进算力芯片快速发展的HBM产业链，以及存储芯片周期复苏的主线。HBM产业链相关公司有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等。存储芯片产业链有望探底回升，推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示：中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等因素都可能对市场造成影响，投资者需谨慎评估风险。

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